[发明专利]耐受扩散的III-V族半导体异质结构及包括其的器件

摘要

说明了包括包括第一III‑V族化合物半导体的子鳍状物和包括第二III‑V族化合物半导体的沟道的半导体器件。在一些实施例中，半导体器件包括包括由至少两个沟槽侧壁限定的沟槽的衬底，其中，第一III‑V族化合物半导体沉积在沟槽内的衬底上，第二III‑V族化合物半导体在第一层III‑V族化合物半导体上外延生长。在一些实施例中，第一III‑V族化合物半导体和第二III‑V族化合物半导体之间的导带偏移大于或等于约0.3电子伏特。还说明了制造这种半导体器件的方法和包括这种半导体器件的计算设备。

主权项

一种包括III‑V族半导体异质结构的半导体器件，所述III‑V族半导体异质结构包括：第一III‑V族半导体化合物的第一层，所述第一III‑V族半导体化合物的第一层形成在衬底上，所述第一层具有第一带隙；第二III‑V族半导体化合物的第二层，所述第二III‑V族半导体化合物的第二层形成在所述第一层上以限定在其间的n‑p结，所述第二层具有与所述第一带隙不同的第二带隙；其中：所述第一层、所述第二层的至少一部分或所述第一层和所述第二层的组合掺杂有两性掺杂剂；当所述两性掺杂剂在所述第一层中是施主时，它在所述第二层中是受主；并且当所述两性掺杂剂在所述第一层中是受主时，它在所述第二层中是施主。