[发明专利]用于无线电力传输的有源CMOS回收单元有效
| 申请号： | 201480063517.3 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105745816B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 赛义德·阿里·哈吉米里;贝赫鲁兹·阿比里;弗洛里安·博恩 | 申请（专利权）人： | 加州理工学院 |
| 主分类号： | H02J50/10 | 分类号： | H02J50/10;H02M7/217 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陆建萍;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 整流电路部分地包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管、阻抗匹配网络以及RF阻塞电路。第一NMOS晶体管的源极和栅极端子分别接收接地电位和偏置电压。第二NMOS晶体管具有与第一NMOS晶体管的漏极端子耦接的栅极端子、与第一NMOS晶体管的栅极端子耦接的漏极端子，以及接收接地电位的源极端子。阻抗匹配网络布置在天线以及第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极端子之间。RF阻塞电路耦接在第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极端子以及整流电路的输出端子之间。RF阻塞电路适于防止RF信号流动到整流电路的输出端子中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 无线 电力 传输 有源 cmos 回收 单元 | ||
【主权项】：
1.一种整流电路，其适于对由接收电磁波的天线供应的RF信号进行整流，所述整流电路包括：第一NMOS晶体管，其具有接收接地电位的源极端子和接收偏置电压的栅极端子；第二NMOS晶体管，其具有与所述第一NMOS晶体管的漏极端子耦接的栅极端子、与所述第一NMOS晶体管的栅极端子耦接的漏极端子，以及接收所述接地电位的源极端子；阻抗匹配网络，其布置在所述天线与所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极端子之间；RF阻塞电路，其耦接在所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极端子与所述整流电路的输出端子之间，所述RF阻塞电路适于阻塞所述RF信号到达所述整流电路的输出端子；第一电容元件，其布置在所述第一NMOS晶体管的栅极端子和所述第二NMOS晶体管的漏极端子之间；以及第二电容元件，其布置在所述第二NMOS晶体管的栅极端子和所述第一NMOS晶体管的漏极端子之间。
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