[实用新型]冶金多晶硅太阳能电池片及太阳能电池板有效
| 申请号： | 201420650161.0 | 申请日： | 2014-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN204167329U | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 和江变;李健;马承鸿;宗灵仑;冯国江 | 申请（专利权）人： | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司;内蒙古大学 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 于宝庆;乔彬 |
| 地址： | 010111 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种冶金多晶硅太阳能电池片及太阳能电池板，所述冶金多晶硅太阳能电池片的一个表面为腐蚀制绒所成的绒面，所述绒面具有多个腐蚀坑，所述多个腐蚀坑的深度为3.0～3.6μm，长度为4.94～6.63μm。本实用新型的冶金多晶硅太阳能电池片，结合了冶金多晶硅自身的特点及相应的制绒工艺，使磷吸杂后的冶金多晶硅片腐蚀出质量较高的绒面，多晶硅片表面腐蚀形成均匀适中的腐蚀凹坑，制得的太阳能电池片表面陷光结构良好，外观均匀且表面反射率低，降低了反向漏电流，同时提高了太阳能电池片的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 冶金 多晶 太阳能电池 太阳能 电池板 | ||
【主权项】：
一种冶金多晶硅太阳能电池片，其特征在于，所述冶金多晶硅太阳能电池片的一个表面为腐蚀制绒所成的绒面，所述绒面具有多个腐蚀坑，所述多个腐蚀坑的深度为3.0～3.6μm，长度为4.94～6.63μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
