[发明专利]关于具有改善性能的射频开关的器件和方法有效
| 申请号： | 201410858446.8 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104639135B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | G·A·布林;A·B·乔希;C·马斯 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 于小宁 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 关于具有改善性能的射频(RF)开关的器件和方法。在一些实施例中，开关器件可以包括第一端子和第二端子，以及多个开关元件，所述多个开关元件在所述第一端子和所述第二端子之间串联连接以形成堆栈。所述开关元件可以具有参数的非均匀分布，所述参数的非均匀分布使得所述堆栈具有比对应于具有参数的基本均匀分布的类似堆栈的第二电压处理能力大的一个或多个第一电压处理能力、比对应于所述类似堆栈的第二导通电阻(Ron)值小的第一Ron值以及比对应于所述类似堆栈的第二线性性能更好的第一线性性能。 | ||
| 搜索关键词： | 堆栈 开关元件 非均匀分布 电压处理 线性性能 导通电阻 改善性能 开关器件 射频 | ||
【主权项】：
1.一种开关器件，包括：/n第一端子和第二端子；以及/n多个场效应晶体管，在所述第一端子和所述第二端子之间串联连接以形成堆栈，每个场效应晶体管具有在有源区域上形成的源极、漏极和栅极，所述多个场效应晶体管具有基于在每个场效应晶体管上的漏极到源极电压的非均匀分布的场效应晶体管的栅极长度的非均匀分布，所述栅极长度的非均匀分布使得所述堆栈具有比对应于具有所述栅极长度的均匀分布的类似堆栈的第二电压处理能力大的第一电压处理能力、比对应于所述类似堆栈的第二导通电阻值小的第一导通电阻值以及比对应于所述类似堆栈的第二线性性能更好的第一线性性能中的一个或多个。/n
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