[发明专利]高频超声编码激励发射系统及脉冲产生方法在审
| 申请号： | 201410828407.3 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104765027A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 吕铁军;向永嘉;顾天明;崔崤峣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 |
| 主分类号： | G01S7/524 | 分类号： | G01S7/524 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹毅 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于高频高压脉冲技术领域，公开了高频超声编码激励发射系统及脉冲产生方法，所述的高频超声编码激励发射系统包括编码与控制模块、MOSFET驱动模块、P型MOSFET和N型MOSFET、脉冲幅值调整模块。本发明的高频超声编码激励发射系统采用编码可编程器件生成激励信号，控制高压脉冲发射波形，在环境噪声不变情况下，提高成像质量，提高系统信噪比，提高探测深度和穿透能力。在激励编码的基础上，可以实现幅值同时可调，提高系统灵活度。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 超声 编码 激励 发射 系统 脉冲 产生 方法 | ||
【主权项】：
高频超声编码激励发射系统，其特征在于所述的高频超声编码激励发射系统包括包括编码与控制模块、MOSFET驱动模块、P型MOSFET和N型MOSFET、脉冲幅值调整模块；编码与控制模块分别与MOSFET驱动模块输入端、脉冲幅值调整模块输入端连接，P型MOSFET和N型MOSFET分别与MOSFET驱动模块输出端和脉冲幅值调整模块输出端连接；所述编码与控制模块包括现场可编辑门阵列；MOSFET驱动模块包括逻辑电平转换器件或逻辑电平转换电路、时序调整器件、大电流MOSFET驱动器件和电路；脉冲幅值调整模块包括高压电源、数模转换器、高压输出调节部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州生物医学工程技术研究所，未经中国科学院苏州生物医学工程技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410828407.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
