[发明专利]一种射频功率放大器高次谐波抑制电路

摘要

本发明公开了一种射频功率放大器高次谐波抑制电路，包括晶体管，高次谐波抑制电路，基波匹配电路和直流偏置电路；所述高次谐波抑制电路位于晶体管和基波匹配电路之间；所述基波匹配电路和直流偏置电路位于高次谐波抑制电路和负载之间。采用低通滤波器或带通滤波器实现所述高次谐波抑制电路，所述射频功率放大器的基波频率在所述低通滤波器或带通滤波器的通带内，所有谐波频率分量在所述滤波器的阻带内；同时，所述低通滤波器或带通滤波器通带内具有很低的插损，阻带内具有很高的插损。利用本发明所提供高次谐波抑制电路，增强了功率放大器的高次谐波抑制功能，可以提高功率放大器的线性度、效率和输出功率。

主权项

一种射频功率放大器高次谐波抑制电路，包括晶体管，高次谐波抑制电路和输出匹配电路，所述高次谐波抑制电路位于晶体管和输出匹配电路之间；所述输出匹配电路位于高次谐波抑制电路和负载之间；所述输出匹配电路包含基波匹配电路和直流偏置电路；所述高次谐波抑制电路采用低通滤波器或带通滤波器实现高次谐波抑制；所述低通滤波器由一对结构对称的并联耦合线和一个串联的电容Cs构成，通过调节藕合线的尺寸和选取电容CS的电容量，在阻带内形成3个有限的传输极点，阻带内的插损为30dB以上，低频段的通频带内的插损最低为0.07dB；所述高次谐波抑制电路实现抑制的高次谐波大于或等于二次；所述晶体管的栅极连接输入匹配电路，所述输入匹配电路连接有栅极直流偏置电路和稳定电路；所述高次谐波抑制电路为三至六次谐波抑制电路；所述晶体管的漏极与高次谐波抑制电路之间设有漏极直流偏置电路和二次谐波抑制电路；其特征在于：所述输入匹配电路设置在输入端与晶体管之间，所述输入匹配电路由微带构成的单枝节匹配电路构成；所述栅极直流偏置电路由波长为λ/4的传微带线和自谐振频率为基波频率f的电容构成，所述自谐振频率为基波频率f的电容实现波长为λ/4的传微带线的交流短路；所述稳定电路由在栅极直流偏置电路和输入匹配电路之间连接的电阻构成；所述漏极直流偏置电路和二次谐波抑制电路由为λ/4的传微带线和自谐振频率为基波频率f的电容C1和二次谐波频率的电容C2构成，所述电容C1和电容C2并联连接在λ/4的传微带线的一端，λ/4的传微带线的另一端与所述输出匹配电路连接。