[发明专利]光敏元件有效

专利信息
申请号: 201410796003.0 申请日: 2014-12-18
公开(公告)号: CN104485382A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 陈平;卢亚宾;李星;赵东旭;林列 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人: 宋鹰武;沈祖锋
地址: 300071 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种光敏元件,包括半导体有源层、纳米孔阵列层、亚微米颗粒层、阳极和阴极,纳米孔阵列层设有贯穿纳米孔阵列层的纳米孔,纳米孔沿纳米孔阵列层的厚度方向延伸,半导体有源层、纳米孔阵列层和亚微米颗粒层依次层叠,纳米孔阵列层和亚微米颗粒层的两端对齐,阳极和阴极均位于半导体有源层上,且阳极和阴极分别位于纳米孔阵列层和亚微米颗粒层的两端。上述光敏元件,当亚微米颗粒被入射光激发时,其内部的自由电子产生的局域表面等离子体共振会使得该亚微米颗粒表面的局域电磁场被极大增强。通过亚微米颗粒结构和纳米孔阵列结构之间的局域表面等离子体共振耦合作用能够使得半导体产生的载流子数量增强,从而提高半导体的光电流强度,提高灵敏度。
搜索关键词: 光敏 元件
【主权项】:
一种光敏元件,其特征在于,包括半导体有源层、纳米孔阵列层、亚微米颗粒层、阳极和阴极,所述纳米孔阵列层设有贯穿所述纳米孔阵列层的纳米孔,所述纳米孔沿所述纳米孔阵列层的厚度方向延伸,所述半导体有源层、所述纳米孔阵列层和所述亚微米颗粒层依次层叠,所述纳米孔阵列层和所述亚微米颗粒层的两端对齐,所述阳极和所述阴极均位于所述半导体有源层上,且所述阳极和所述阴极分别位于所述纳米孔阵列层和亚微米颗粒层的两端。
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