[发明专利]光敏元件有效
申请号: | 201410796003.0 | 申请日: | 2014-12-18 |
公开(公告)号: | CN104485382A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 陈平;卢亚宾;李星;赵东旭;林列 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 宋鹰武;沈祖锋 |
地址: | 300071 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种光敏元件,包括半导体有源层、纳米孔阵列层、亚微米颗粒层、阳极和阴极,纳米孔阵列层设有贯穿纳米孔阵列层的纳米孔,纳米孔沿纳米孔阵列层的厚度方向延伸,半导体有源层、纳米孔阵列层和亚微米颗粒层依次层叠,纳米孔阵列层和亚微米颗粒层的两端对齐,阳极和阴极均位于半导体有源层上,且阳极和阴极分别位于纳米孔阵列层和亚微米颗粒层的两端。上述光敏元件,当亚微米颗粒被入射光激发时,其内部的自由电子产生的局域表面等离子体共振会使得该亚微米颗粒表面的局域电磁场被极大增强。通过亚微米颗粒结构和纳米孔阵列结构之间的局域表面等离子体共振耦合作用能够使得半导体产生的载流子数量增强,从而提高半导体的光电流强度,提高灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 光敏 元件 | ||
【主权项】:
一种光敏元件,其特征在于,包括半导体有源层、纳米孔阵列层、亚微米颗粒层、阳极和阴极,所述纳米孔阵列层设有贯穿所述纳米孔阵列层的纳米孔,所述纳米孔沿所述纳米孔阵列层的厚度方向延伸,所述半导体有源层、所述纳米孔阵列层和所述亚微米颗粒层依次层叠,所述纳米孔阵列层和所述亚微米颗粒层的两端对齐,所述阳极和所述阴极均位于所述半导体有源层上,且所述阳极和所述阴极分别位于所述纳米孔阵列层和亚微米颗粒层的两端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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