[发明专利]聚合物发光二极管的溶液工艺电子传输层在审
申请号: | 201410766389.0 | 申请日: | 2014-12-11 |
公开(公告)号: | CN105742522A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 蔡峥鸣;卢子翘;何国强 | 申请(专利权)人: | 纳米及先进材料研发院有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 武晨燕;迟姗 |
地址: | 中国香港九龙清水湾香港科技大学赛马会*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于制造溶液工艺制备的包括电子传输层的PLED的方法。通过溶液工艺将电子传输层沉积在发射层上,提供了可比于那些经过真空沉积而制备的电子传输层的性能。此外,本发明的方法能够降低制造成本并且减小制造时间。 | ||
搜索关键词: | 聚合物 发光二极管 溶液 工艺 电子 传输 | ||
【主权项】:
一种用于制造聚合物发光二极管的方法,包括:提供发射层(EML);在至少一种醇类溶剂中溶解至少一种电子传输层(ETL)材料以形成电子传输层溶液;通过第一溶液工艺在所述发射层上涂覆所述电子传输层溶液以形成电子传输层湿膜;以及对所述电子传输层湿膜退火以形成电子传输层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳米及先进材料研发院有限公司,未经纳米及先进材料研发院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410766389.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:利用高温过热蒸汽干法制备磷酸铁锂前驱体的方法及装置
- 下一篇:电脑蒸汽房
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择