[发明专利]应变SiGeSn鳍型光电探测器有效
| 申请号： | 201410737288.0 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104409530A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 韩根全;张春福;郝跃;张进城;唐诗 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/101 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应变SiGeSn鳍型光电探测器，主要解决现有光电探测器中材料毒性大、成本高的问题。其自下而上包括：下电极(102)、吸收区(103)、上电极(104)和应力薄膜(105)；吸收区(103)采用空隙与SiGeSn复合材料相交错构成的鳍型结构，该SiGeSn复合材料在衬底(101)上外延不同组分的Ge和Sn获得，其通式为Si1-x-yGeySnx，其中0≤x≤0.25，0≤y≤0.75；应力薄膜(105)包裹在吸收区(103)的侧面和上电极(104)表面。本发明通过应力薄膜(105)在SiGeSn复合材料中产生的应变改变吸收区(103)带隙，提高了探测器的光谱响应范围。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 sigesn 光电 探测器 | ||
【主权项】：
一种应变SiGeSn鳍型光电探测器，自下而上包括：下电极(102)、吸收区(103)和上电极(104)，其特征在于：吸收区(103)采用由SiGeSn复合材料构成的鳍型结构，吸收区(103)的侧表面和上电极(104)的上表面包裹有应力薄膜(105)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
