[发明专利]一种提取三维MT弱电阻率异常的方法及装置有效
申请号: | 201410645101.4 | 申请日: | 2014-11-10 |
公开(公告)号: | CN104375196A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 陶德强;赵文举;胡祖志;孟翠贤 | 申请(专利权)人: | 中国石油天然气集团公司;中国石油集团东方地球物理勘探有限责任公司 |
主分类号: | G01V3/38 | 分类号: | G01V3/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李秀芸 |
地址: | 100007 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种提取三维MT弱电阻率异常的方法及装置,其中,该方法包括:获取目标区的三维MT资料;利用三维MT资料得到目标区的深度、电阻率数据体;对目标区的深度、电阻率数据体进行规则化处理,得到三维MT规则数据体;其中,所述三维MT规则数据体是在三维空间上沿X轴、Y轴、Z轴均匀分布的规则数据体;构建插值切割半径为R的插值切割算子,对三维MT规则数据体进行三维插值切割计算,获得区域电阻率异常;从所述三维MT规则数据体中减去区域电阻率异常得到局部电阻率异常;利用三维垂直导数对所述局部电阻率异常进行增强处理,实现提取三维MT弱电阻率异常。 | ||
搜索关键词: | 一种 提取 三维 mt 电阻率 异常 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种提取三维MT弱电阻率异常的方法,其特征在于,该方法包括:获取目标区的三维MT资料;利用三维MT资料得到目标区的深度、电阻率数据体;对目标区的深度、电阻率数据体进行规则化处理,得到三维MT规则数据体;其中,所述三维MT规则数据体是在三维空间上沿X轴、Y轴、Z轴均匀分布的规则数据体;构建插值切割半径为R的插值切割算子,对三维MT规则数据体进行三维插值切割计算,获得区域电阻率异常;从所述三维MT规则数据体中减去区域电阻率异常得到局部电阻率异常;利用三维垂直导数对所述局部电阻率异常进行增强处理,实现提取三维MT弱电阻率异常。
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