[发明专利]一种新型镉离子印迹磁性介孔硅胶固相萃取剂的制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201410586820.3 申请日: 2014-10-28
公开(公告)号: CN104275155A 公开(公告)日: 2015-01-14
发明(设计)人: 胡斌;赵冰珊;何蔓;陈贝贝 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: B01J20/22 分类号: B01J20/22;B01J20/28;B01J20/30;G01N1/28;G01N1/34
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 常海涛
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种新型镉离子印迹磁性介孔硅胶固相萃取剂的制备方法与应用。该萃取剂包括磁性Fe3O4核及核外依次包裹的SiO2层、介孔SiO2层和IIP层,所述IIP层键连有巯基;磁性Fe3O4核的粒径为10-20nm。以TEOS为偶联剂磁性Fe3O4纳米球为核制备得到核-壳结构的Fe3O4@SiO2;再以CTAB为致孔剂反应得到磁性介孔硅胶材料MMS;将MMS作为支撑基质,在其表面进行镉离子印迹聚合反应,去除模板离子后即得镉离子印迹磁性介孔硅胶固相萃取剂。本发明方法简单快捷、成本低、环境友好;制备的产品具有吸附速度快、吸附容量大、萃取效率高等优点,在镉离子的分离富集及检测上有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 新型 离子 印迹 磁性 硅胶 萃取 制备 方法 应用
【主权项】:
一种镉离子印迹磁性介孔硅胶固相萃取剂,其特征在于:包括磁性Fe3O4核及Fe3O4核外依次包裹的SiO2层、介孔SiO2层和IIP涂层,所述的IIP层键连有巯基。
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