[发明专利]一种掺银铌酸锂纳米多晶粉体及其制备方法无效
| 申请号： | 201410545658.0 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN104310479A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 阎文博;张丽霞;吴萌;王洵;陈洪建;张宇威;王冬辉;李敏;梁国弘 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C01G33/00 | 分类号： | C01G33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300401 天津市北辰*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于掺杂铌酸锂纳米多晶粉体的制备领域。一种掺银铌酸锂纳米多晶粉体及其制备方法，它涉及一种掺银铌酸锂纳米多晶粉体，化学式为：LiNbO3:Ag。本发明使用廉价易得的原料，采用改良湿化学方法，将银离子掺入铌酸锂纳米多晶粉体中，实现银离子和基质材料的原子级别的均匀混合，制备出无铌酸银杂相的掺银铌酸锂纳米多晶材料。该掺银铌酸锂纳米多晶粉体同时具有优良的二次倍频性能、生物相容性以及抑制细菌繁殖的功能，在生物探针材料的应用上具有巨大的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺银铌酸锂 纳米 多晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺银铌酸锂纳米多晶粉体，其特征在于银离子均匀分布在铌酸锂纳米多晶粉体中，无铌酸银杂相，其化学式可表示为LiNbO3：Agx，其中Ag的掺杂范围即x值是：0.01‑10mol％。
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