[发明专利]一种大尺寸方形蓝宝石晶体生长方法无效
| 申请号： | 201410481654.0 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN104264224A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 樊志远;段金柱;王勤峰;赵杰红;蔡建华;徐秋峰;段斌斌 | 申请（专利权）人： | 天通控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/20 | 分类号： | C30B29/20;C30B15/00;C30B29/60 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314412 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大尺寸方形蓝宝石晶体的生长方法，晶体最大边长达320mm×320mm。采用99.999wt%的高纯氧化铝，放置在钨坩埚内，安装钨加热器及钨钼保温材料，钨钼保温材料形状为方形，加热器为方形，坩埚为方形。本发明生长方形蓝宝石晶锭，提高了材料利用率，如100Kg级蓝宝石晶锭掏取苹果5S机型屏幕用方形晶棒，材料利用率可达60%～70%，降低生产成本达20%～30%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 方形 蓝宝石 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸方形蓝宝石晶体生长方法，采用99.999wt%的高纯氧化铝，放置在钨坩埚内，安装钨加热器及钨钼保温材料，安装好测温热电偶，封闭炉腔并装好摄像头，启动监视器及记录仪，在自动控制程序中设置加热程序，抽真空，真空度达到10‑4Pa，升温速率为200℃/h；升温对氧化铝原料进行熔化，借助于红外测温仪，将液面温度控制在2050℃～2070℃之间，液面对流线清晰均匀，并达到稳定状态；将籽晶缓慢下降，Touch液面；快速提拉生长颈部；缓慢提拉生长肩部；微提拉生长等径部，至长晶完成；进行降温，取出晶体；将晶体加工成片，使用KOH腐蚀，采用X射线TOPO GRAPHY、显微镜、扫描电镜和分光光度计测试晶体的位错密度、透光性及单晶性；其特征在于：所述的钨钼保温材料形状为方形，加热器为方形，坩埚为方形。
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