[发明专利]基于LTCC的极高频波段高抑制带通滤波器

摘要

本发明公开了一种基于LTCC的极高频波段高抑制带通滤波器，包括陶瓷基板，陶瓷基板上下表面金属壁，由七十四个金属化通孔和陶瓷基板形成的六个谐振腔，每两个谐振腔之间的一个耦合缝隙，以及上层金属壁共面波导输入端口和输出端口。宽频带微波信号从输入端口进入第一谐振腔，通带内的微波信号通过第一耦合缝隙耦合到第二谐振腔，经过第二耦合缝隙耦合到第三谐振腔，经过第三耦合缝隙耦合到第四谐振腔，经过第四耦合缝隙耦合到第五谐振腔，最后经过第五耦合缝隙耦合到第六谐振腔到输出端口。本发明具有频段频率覆盖广、插入损耗小、频率选择性好、谐波抑制特性好、电路结构简单、可控性好等突出优点，对于未来高速率数据无线通信具有有重大应用前景。

主权项

一种基于LTCC的极高频波段高抑制带通滤波器，其特征在于，包括陶瓷基板(S)，陶瓷基板(S)上下表面金属壁(G)，七十四个金属化通孔(V1～V74)，由七十四个金属化通孔(V1～V74)和陶瓷基板(S)形成的六个谐振腔(R1、R2、R3、R4、R5、R6)，第一谐振腔(R1)和第二谐振腔(R2)之间的第一耦合缝隙(C12)，第二谐振腔(R2)和第三谐振腔(R3)之间的第二耦合缝隙(C23)，第三谐振腔(R3)和第四谐振腔(R4)之间的第三耦合缝隙(C34)，第四谐振腔(R4)和第五谐振腔(R5)之间的第四耦合缝隙(C45)，第五谐振腔(R5)和第六谐振腔(R6)之间的第五耦合缝隙(C56)，以及上层金属壁共面波导输入端口(P1)和输出端口(P2)；所述第一谐振腔(R1)由十六个金属化通孔即第一～八金属化通孔(V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V8)、第六十七～七十四金属化通孔(V67、V68、V69、V70、V71、V72、V73、V74)与陶瓷基板(S)表面金属壁(G)形成；第二谐振腔(R2)由十八个金属化通孔即第六～十四金属化通孔(V6、V7、V8、V9、V10、V11、V12、V13、V14)、第六十一～六十九金属化通孔(V61、V62、V63、V64、V65、V66、V67、V68、V69)与陶瓷基板(S)表面金属壁(G)形成；第三谐振腔(R3)由十八个金属化通孔即第十二～二十金属化通孔(V12、V13、V14、V15、V16、V17、V18、V19、V20)、第五十五～六十三金属化通孔(V55、V56、V57、V58、V59、V60、V61、V62、V63)与陶瓷基板(S)表面金属壁(G)形成；第四谐振腔(R4)由十八个金属化通孔即第十八～二十六金属化通孔(V18、V19、V20、V21、V22、V23、V24、V25、V26)、第四十九～五十七金属化通孔(V49、V50、V51、V52、V53、V54、V55、V56、V57)与陶瓷基板(S)表面金属壁(G)形成；第五谐振腔(R5)由十八个金属化通孔即第二十四～三十二金属化通孔(V24、V25、V26、V27、V28、V29、V30、V31、V32)、第四十三～五十一金属化通孔(V43、V44、V45、V46、V47、V48、V49、V50、V51)与陶瓷基板(S)表面金属壁(G)形成；第六谐振腔(R6)由十六个金属化通孔即第三十～四十五金属化通孔(V30、V31、V32、V33、V34、V35、V36、V37、V38、V39、V40、V41、V42、V43、V44、V45)与陶瓷基板(S)表面金属壁(G)形成；第一谐振腔(R1)和第二谐振腔(R2)通过第一耦合缝隙(C12)耦合，第二谐振腔(R2)和第三谐振腔(R3)通过第二耦合缝隙(C23)耦合，第三谐振腔(R3)和第四谐振腔(R4)通过第三耦合缝隙(C34)耦合，第四谐振腔(R4)和第五谐振腔(R5)通过第四耦合缝隙(C45)耦合，第五谐振腔(R5)和第六谐振腔(R6)通过第五耦合缝隙(C56)耦合。