[发明专利]具有支撑层的聚醚砜/聚偏氟乙烯共混膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种具有支撑层的聚醚砜/聚偏氟乙烯共混膜及其制备方法，首先进行聚酯无纺布的荷电处理，得到荷电无纺布，作为支撑层；将聚醚砜和聚偏氟乙烯溶解在溶剂中，并加入添加剂，在30～70℃下，充分搅拌成为均一稳定的铸膜液；将铸膜液流延到支撑层上，将浸满铸膜液的支撑层用刮刀刮膜，预蒸发后进入到凝固浴中成膜，膜形成后用纯水充分淋洗，将残留在膜内的溶剂去除，然后经过高温滚筒烘干，制得成品膜。与现有技术相比，本发明采用的支撑层为经过处理的荷电聚酯无纺布，与铸膜液的结合更牢靠，所制备的膜强度高；聚偏氟乙烯的加入使得聚醚砜膜的化学稳定性更好，强酸强碱耐受性得到提高。

主权项

一种具有支撑层的聚醚砜/聚偏氟乙烯共混膜的制备方法，其特征在于，具有支撑层的聚醚砜/聚偏氟乙烯共混膜包括支撑层及膜层，所述的支撑层为聚酯无纺布，所述的膜层为由聚醚砜、聚偏氟乙烯、溶剂和添加剂制成的聚醚砜/聚偏氟乙烯共混膜，其中聚醚砜与聚偏氟乙烯的总含量为10～30wt％，且聚醚砜与聚偏氟乙烯的重量比为15/1～4/1，添加剂的含量为0.5～45wt％，溶剂含量为45～85wt％；所述的添加剂选自聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、氯化锂、丙三醇、水或亚硝酸钠中的一种或一种以上；所述的具有支撑层的聚醚砜/聚偏氟乙烯共混膜的孔径为0.1～10μm，厚度为90～200μm；制备方法包括以下步骤：1)聚酯无纺布的荷电处理：首先在聚酯无纺布的表面加入荷正电单体溶液，所述的荷正电单体溶液为N‑乙烯基吡啶，辐照接枝后，将未反应的单体取出，然后用清洗液洗掉残留在表面的荷电单体，烘干，即可得到荷电无纺布，作为支撑层；2)制备铸膜液：首先将聚醚砜和聚偏氟乙烯溶解在溶剂中，并加入添加剂，在30～70℃下，充分搅拌成为均一稳定的铸膜液；3)膜的制备：将铸膜液流延到支撑层上，将浸满铸膜液的支撑层用刮刀刮膜，预蒸发后进入到凝固浴中成膜，膜形成后用纯水充分淋洗，将残留在膜内的溶剂去除，然后经过高温滚筒烘干，制得成品膜。