[发明专利]一种掩模板在审
申请号: | 201410340364.4 | 申请日: | 2014-07-16 |
公开(公告)号: | CN104142611A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 张思凯 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及到显示装置制造的技术领域,公开了一种掩模板。该掩模板包括:透明基板,多个间隔设置在所述透明基板一个表面上的遮光条,且所述透明基板上背离所述遮光条的一表面设置有与所述遮光条设置位置一一对应且将照射到遮光条上的光线折射到相邻的遮光条之间间隙的透镜结构。在上述技术方案中,通过采用透镜结构将原来照射到遮光条上的光线折射到遮光条之间的间隙上,使得更多的光线能够照射到被曝光的基板上,参与曝光,从而提高了光线的利用率。 | ||
搜索关键词: | 一种 模板 | ||
【主权项】:
一种掩模板,其特征在于,包括:透明基板,多个间隔设置在所述透明基板一个表面上的遮光条,且所述透明基板上背离所述遮光条的一表面设置有与所述遮光条设置位置一一对应且将照射到遮光条上的光线折射到相邻的遮光条之间间隙的透镜结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410340364.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种大面积数字光刻光学系统
- 下一篇:薄膜晶体管基板及显示装置
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备