[发明专利]基于钛酸铋钠薄膜体系的电阻随机存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201410333883.8 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104103755B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 郭益平;吴芬;段华南;康红梅;李华;刘河洲 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人： | 蒋亮珠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于钛酸铋钠薄膜体系的电阻随机存储器及其制备方法，包括下电极、上电极(104)，以及下电极和上电极(104)之间设置的钛酸铋钠基薄膜(103)，其中钛酸铋钠基薄膜(103)和上电极(104)构成一个存储单元。其制备方法为在玻璃基板上采用磁控溅射的方法生长导电氧化物层或是直接选用商业化的覆有导电氧化物涂层的导电玻璃基板，采用化学溶液沉积法在导电氧化物涂层上制备钛酸铋钠基薄膜，在钛酸铋钠基薄膜上采用物理法制备上电极，通过掩膜控制上电极的形状。与现有技术相比，本发明所提供的电阻随机存储器具有良好的电阻随机存储效应，其制备方法简单且成本低，易于大规模制备和工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 钛酸铋钠 薄膜 体系 电阻 随机 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于钛酸铋钠薄膜体系的电阻随机存储器，其特征在于，包括下电极、上电极(104)，以及下电极和上电极(104)之间设置的钛酸铋钠基薄膜(103)，其中钛酸铋钠基薄膜(103)和上电极(104)构成一个存储单元；所述的钛酸铋钠基薄膜(103)为氧空位掺杂的钛酸铋钠薄膜，包括钛位镁掺杂的钛酸铋钠薄膜，铋位微量铋缺失的钛酸铋钠薄膜，以及钛位镁掺杂加上铋位微量铋缺失的钛酸铋钠薄膜。
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