[发明专利]双量程硅压阻式压力敏感元件无效
| 申请号： | 201410330774.0 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104062060A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 赵湛;刘成;杜利东;方震;李亮;吴少华;张萌颖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01L9/06 | 分类号： | G01L9/06;G01L1/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双量程硅压阻式压力敏感元件。该双量程硅压阻式压力敏感元件包括：底板，在其中部形成通孔；硅基衬底，其下方中部挖空，在其顶部形成硅膜，硅膜中部的下方形成中空支撑物，该中空支撑物将硅膜分为两部分：内侧区域和外侧区域，该中空支撑物底部的横向尺寸大于所述底板中部通孔的横向尺寸，该硅基衬底的外围固定在所述底板上；以及至少两应变检测电阻，形成于所述硅基衬底的上表面，至少其中之一形成于所述硅膜的外侧边缘，至少其中之一形成于所述中空支撑物的内侧边缘，该至少两应变检测电阻电性连接至外围测量电路。本发明双量程硅压阻式压力敏感元件能够适用大压力测量或小压力测量，适用范围较广。 | ||
| 搜索关键词： | 量程 硅压阻式 压力 敏感 元件 | ||
【主权项】：
一种双量程硅压阻式压力敏感元件，其特征在于，包括： 底板(8)，在其中部形成通孔； 硅基衬底(7)，其下方中部挖空，在其顶部形成硅膜(1)，硅膜(1)中部的下方形成中空支撑物(2)，该中空支撑物(2)将硅膜分为两部分：内侧区域和外侧区域，该中空支撑物(2)底部的横向尺寸大于所述底板(8)中部通孔的横向尺寸，该硅基衬底(7)的外围固定在所述底板(8)上；以及 至少两应变检测电阻(5)，形成于所述硅基衬底(7)的上表面，至少其中之一形成于所述硅膜(1)的外侧边缘，至少其中之一形成于所述中空支撑物(2)的内侧边缘，该至少两应变检测电阻电性连接至外围测量电路； 其中，在小压力条件下，所述中空支撑物(2)悬空，由硅膜(1)外侧边缘的应变检测电阻检测压力；在大压力条件下，所述中空支撑物(2)压在底板(8)上，由底板(8)支撑，由中空支撑物内侧边缘的应变检测电阻检测压力。
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