[发明专利]静电纺丝制备一维高缺陷NiO纳米线及其在催化方面的应用有效
| 申请号： | 201410253724.7 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103991914A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 向斌;沈梦;杨雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C01G53/04 | 分类号： | C01G53/04;B01J23/755;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及高缺陷纳米线NiO的制备方法及其在光催化方面的应用。该方法主要特征在于以乙酸镍，N-N二甲基甲酰胺和聚乙烯吡咯烷酮作为前驱体，通过简单的静电纺丝的方法，在铝箔上合成许多一维的复合纳米线。然后经过非平衡态的煅烧过程，由于气相的逸出，产生孔洞空穴等，致使NiO纳米线表面产生大量的台阶和纽结等表面缺陷，降低表面能，使得NiO的高能面能够保存下来，大大地提高了催化效率。通过定义暴露的高能面原子密度，定量计算高能面原子密度，从而达到可控的提高光催化效率，这为以后的催化研究提供了方向。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 纺丝 制备 一维高 缺陷 nio 纳米 及其 催化 方面 应用 | ||
【主权项】：
一种一维NiO纳米线的制备方法，其特征在于以乙酸镍，N‑N二甲基甲酰胺和聚乙烯吡咯烷酮作为反应的前驱体。
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