[发明专利]一种透明压控薄膜变容管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种透明压控薄膜变容管的制备方法，首先采用固相烧结法于1000～1150℃烧制Bi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇靶材；利用磁控溅射沉积技术，使用Ar和O₂作为溅射气体，沉积得到Bi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇薄膜；再于氧气气氛中进行后退火处理，再于薄膜上面制备金属电极，制得透明Bi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇压控薄膜变容管。本发明透明性高，调谐率适中，器件稳定性好，且工艺简单，电极性能优良，具有良好的应用前景，为透明通讯和显示设备的开发和应用提供了优良的元器件基础。

主权项

一种透明压控薄膜变容管的制备方法，具有如下步骤：(1)采用固相烧结法制备Bi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇靶材按Bi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇对应元素的化学计量比称取原料Bi₂O₃、ZnO和Nb₂O₅，充分混合后压制成型，置于电炉中于1000～1150℃烧制Bi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇靶材；(2)将清洁干燥的导电玻璃衬底放入磁控溅射样品台上；(3)将磁控溅射系统的本底真空度抽至1.0×10^‑6～7.0×10^‑6Torr，然后加热衬底至400～700℃；(4)在磁控溅射系统中，使用Ar和O₂作为溅射气体，溅射功率为50～200W，在导电玻璃衬底上沉积得到Bi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇薄膜；(5)待步骤(4)沉积有Bi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇薄膜的导电玻璃衬底温度降至100℃以下时，取出制品，在氧气气氛炉中进行后退火处理；(6)在步骤(5)后退火处理后的Bi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇薄膜上面利用掩膜版制备金属电极，制得透明压控薄膜变容管，即透明Bi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇压控薄膜变容管。