[发明专利]一种石墨烯-CoS纳米片复合对电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201410211259.0 | 申请日： | 2014-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN103985546A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 徐峰;朱重阳;王豪;闵辉华;董辉;孙立涛;翟旺旺;孙博闻;谭爽;刘欣博;李潇 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 黄成萍 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯-CoS纳米片复合对电极及其制备方法，由石墨烯薄膜和CoS纳米片阵列构成；所述石墨烯薄膜是通过喷涂工艺在ITO导电玻璃基底上沉积氧化石墨烯薄膜，再经电化学还原所得；所述CoS纳米片阵列直接电化学沉积生长在氧化石墨烯薄膜表面。本发明公开的石墨烯-CoS纳米片复合对电极制备方法简单，具有低温操作、快速大面积制备、环境友好的特点；同时，所制备的复合对电极具有电子迁移率快、界面电荷转移电阻小、催化活性高的特性，有效提升了染料敏化太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 cos 纳米 复合 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种染料敏化太阳能电池用石墨烯‑CoS纳米片复合对电极，其特征在于：所述复合对电极由石墨烯薄膜和CoS纳米片阵列构成；所述石墨烯薄膜是通过喷涂工艺在ITO导电玻璃基底上沉积氧化石墨烯薄膜，再经电化学还原所得；所述CoS纳米片阵列直接电化学沉积生长在氧化石墨烯薄膜表面。
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