[发明专利]钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201410203488.8 | 申请日: | 2014-05-14 |
公开(公告)号: | CN104009159B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 孟庆波;杨月勇;肖俊彦;卫会云;李冬梅;罗艳红;吴会觉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)11391 | 代理人: | 范晓斌,郭海彬 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法。钙钛矿基薄膜太阳电池包括透明衬底;在所述透明衬底上形成的透明导电层;在所述透明导电层上形成的且为半导体材料的致密层;在所述致密层上形成的吸光层,所述吸光层由具有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料形成;以及在所述吸光层上形成的且为导电碳材料的对电极层。本发明采用碳材料作为对电极材料,在性能相当的情况下,其成本远远低于用蒸镀的方法制备的贵金属对电极。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿基 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种钙钛矿基薄膜太阳电池,包括:透明衬底;在所述透明衬底上形成的透明导电层;在所述透明导电层上形成的且为半导体材料的致密层;在所述致密层上形成的吸光层,所述吸光层由具有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料形成;以及在所述吸光层上形成的且为非多孔的导电碳材料的对电极层;所述对电极层无需烧结且对电极层中无明显的所述有机金属半导体吸光材料;所述对电极层为将一定比例的导电碳材料和粘结剂加入分散剂后制成的对电极浆料,经涂覆后室温干燥或略高于室温烘干制备,所述导电碳材料为石墨、炭黑、碳纳米管、石墨烯中的一种或多种;所述分散剂为非极性有机溶剂,所述粘结剂为能溶于所述分散剂的高分子材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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