[发明专利]基于OpenGL的瓦片地图创建方法及装置有效

专利信息
申请号: 201410201164.0 申请日: 2014-05-13
公开(公告)号: CN103984720B 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 秦龙龙;卢伟超 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: G06F17/30 分类号: G06F17/30;G06T15/04
代理公司: 深圳中一专利商标事务所44237 代理人: 张全文
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于OpenGL的瓦片地图创建方法及装置,其中,一种基于OpenGL的瓦片地图创建方法包括获取瓦片地图文件;根据所述瓦片地图文件计算各个瓦片的3D模型坐标;将所述各个瓦片的图片转化为纹理图片;计算所述各个瓦片的纹理图片的坐标;根据所述各个瓦片的3D模型坐标、纹理图片以及纹理图片的坐标,调用所述OpenGL的渲染函数分别对所述各个瓦片进行渲染,生成包含所述各个瓦片的瓦片地图。本发明提供的技术方案能够有效提高瓦片地图的可移植性。
搜索关键词: 基于 opengl 瓦片 地图 创建 方法 装置
【主权项】:
一种基于OpenGL的瓦片地图创建方法,其特征在于,包括:获取瓦片地图文件;根据所述瓦片地图文件计算各个瓦片的3D模型坐标;将所述各个瓦片的图片转化为纹理图片;计算所述各个瓦片的纹理图片的坐标;根据所述各个瓦片的3D模型坐标、纹理图片以及纹理图片的坐标,调用所述OpenGL的渲染函数分别对所述各个瓦片进行渲染,生成包含所述各个瓦片的瓦片地图;所述瓦片地图文件包括如下信息:瓦片的朝向信息、瓦片地图的宽度信息、瓦片地图的高度信息、瓦片地图包含的所有瓦片集的属性信息,瓦片地图包含的所有层的属性信息;所述根据所述瓦片地图文件计算各个瓦片的3D模型坐标包括:针对瓦片地图的每层,进行如下计算:根据所述瓦片的朝向信息,确定本层的第一块瓦片的左下角顶点坐标;根据所述瓦片的朝向信息、所述瓦片地图的宽度信息、所述瓦片地图的高度信息,以及所述第一块瓦片的左下角顶点坐标,计算本层中其它瓦片的左下角顶点坐标;对本层中的每块瓦片进行如下计算,得到本层中的每块瓦片的3D模型坐标:根据确定的瓦片i的左下角顶点坐标、所述瓦片地图的宽度信息以及瓦片地图的高度信息,确定所述瓦片i的左上角顶点坐标、右上角顶点坐标和右下角顶点坐标;根据2D转3D公式,计算所述瓦片i的4个顶点在3D环境中的绝对位置;将所述瓦片i的4个顶点在3D环境中的绝对位置减去所述瓦片i的模型位置,得到所述瓦片i的3D模型坐标,其中,所述瓦片i的模型位置等于所述瓦片i的4个顶点的平均坐标。
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