[发明专利]一种窄分子量分布聚硅氧烷的制备方法有效
申请号: | 201410191086.0 | 申请日: | 2014-04-29 |
公开(公告)号: | CN103980495B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 孔杰;周冬;凌君;骆春佳;于震;黄勇 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C08G77/20 | 分类号: | C08G77/20;C08G77/06 |
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地址: | 710072 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种窄分子量分布聚硅氧烷的制备方法,其方法为通过改变1,3,5‑三乙烯基‑1,3,5‑三甲基环三硅氧烷(VD3)和阴离子引发剂的投料比,调整反应时间及反应温度,控制单体的转化率,结合阴离子开环聚合的优势,开环聚合可制备得到分子量分布(Mw/Mn≤1.2)极窄的聚硅氧烷,分子量在3000~30000可调。上述制备方法具体为向20ml的安倍瓶加入VD3单体0.5~2.0ml溶济单体,然后加入新蒸四氢呋喃1.4ml,搅拌约20~30min,在冰水浴中恒定温度,加入正丁基锂溶液0.1~0.6ml达到预定反应时间后,用无水冰甲醇沉淀出聚合物。本发明技术中,由于阴离子开环聚合过程中,单体引发剂投料比可调、反应温度可调、反应时间可控,可以通过控制单体转化率,得到分子量分布极窄、分子量可调的聚硅氧烷。 | ||
搜索关键词: | 一种 分子量 分布 聚硅氧烷 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种窄分子量分布聚硅氧烷的制备方法,其特征在于:该方法为:通过改变1,3,5‑三乙烯基‑1,3,5‑三甲基环三硅氧烷(VD3)和阴离子引发剂的投料比,调整反应时间及反应温度,控制单体的转化率,结合阴离子开环聚合的优势,开环聚合可制备得到分子量分布Mw/Mn≤1.2极窄的聚硅氧烷,分子量在3000~30000可调;所述制备方法具体为:向20ml的安倍瓶加入VD3单体0.5~2.0ml,然后加入新蒸四氢呋喃1.4ml,搅拌20~30min,在冰水浴中恒定温度,加入正丁基锂溶液0.1~0.6ml达到预定反应时间后,用无水冰甲醇沉淀出聚合物。
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