[发明专利]多参数离子传感器及其制备方法、多参数离子传感器芯片和监测系统

摘要

本发明涉及多参数离子检测技术领域，公开了一种多参数离子传感器及其制备方法、多参数离子传感器芯片和监测系统。该传感器包括多个由成对的离子敏场效应晶体管组合的互补对结构；其中，每个互补对结构中成对的离子敏场效应晶体管共用一个参比电极；所述成对的离子敏场效应晶体管中的一个设有的敏感膜作为指示晶体管，另一个设有非活性膜作为参比晶体管；多个互补对结构中的敏感膜不同。本发明可同时实时采集多种盐离子浓度，具有体积小、灵敏度高、响应快、微型化、易集成的优点，可以很容易与外电路匹配，实现在线控制和实时监测，做成微型分析仪器和离子探针，成本低廉，适合批量生产，可广泛用于农业医疗化工环保军事等领域。

主权项

一种多参数离子传感器芯片，其特征在于，所述传感器芯片包括：多参数离子传感器、放大器、A/D模数转换器、校验存储器、CRC发生器、SCK数据线、DATA三态门；其中，所述传感器的输出耦接所述放大器，所述放大器将所述传感器输出的模拟信号放大；所述放大器的输出耦接所述A/D转换器，所述A/D转换器将放大的模拟信号转换为数字信号；所述校验存储器耦接所述A/D转换器，保障模数转换的准确度；所述A/D转换器耦接所述CRC发生器，所述CRC发生器保障数据通信的安全；所述传感器芯片通过所述SCK数据线和与所述DATA三态门外部通信，所述SCK数据线负责处理器和离子传感器的通讯同步；所述DATA三态门用于数据的读取；所述多参数离子传感器包括：多个由成对的离子敏场效应晶体管组合的互补对结构；其中，每个互补对结构中成对的离子敏场效应晶体管共用一个参比电极，所述参比电极设置在成对的离子敏场效应晶体管之间；所述成对的离子敏场效应晶体管中的一个设有的敏感膜作为指示晶体管，另一个设有非活性膜作为参比晶体管；多个互补对结构中的敏感膜不同。