[发明专利]一种利用电流变化检测刻蚀槽深的方法有效
| 申请号： | 201410174912.0 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104048592B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张立;何军;张大成;黄贤;赵丹淇;王玮;杨芳;田大宇;刘鹏;李婷;罗葵 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地 |
| 主分类号： | G01B7/26 | 分类号： | G01B7/26;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用电流变化检测刻蚀槽深的方法，通过设计特殊检测区域来实现即时反映刻蚀槽深的目的，采用MEMS加工工艺制备检测区域，利用电流计实现信号读取。该方法中通过采用SOI硅片以及MEMS加工工艺实现了功能区域和检测区域良好的电学隔离，避免检测电流对功能器件区造成损害。同时，通过图形转移在检测区域实现功能区域刻蚀窗口的复制，保证检测区域的刻蚀条件和功能区域趋于一致。最后对检测区域深槽结构进行严格地电学建模计算，获得刻蚀深度和电流信号之间的关系，并以此通过电流计的检测实现对刻蚀槽深的即时监控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 电流 变化 检测 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种利用电流变化检测刻蚀槽深的方法，包括下述步骤：1)选择SOI硅片作为芯片基片；2)在基片上光刻定义并刻蚀出与功能区域电学绝缘的独立的检测区域；3)在上述检测区域制作成对的检测电极；4)在检测电极上制作保护层；5)在检测区域光刻出和功能区域刻蚀窗口一样大小和形状的检测刻蚀窗口；6)在基片的功能区域和检测区域同时进行刻蚀，形成检测刻蚀槽；7)刻蚀完成后利用电流表测量检测电极间电流大小；8)将测量得到的电流大小和理论曲线对比，获取刻蚀槽深度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学;北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地，未经北京大学;北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410174912.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
