[发明专利]一种以二甲基亚砜为溶剂的墨水制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法无效
申请号: | 201410140916.7 | 申请日: | 2014-04-10 |
公开(公告)号: | CN103928569A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 汪浩;王先明;刘晶冰;严辉;朱满康;王波 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种以二甲基亚砜为溶剂的墨水制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法,包括如下步骤:(a)空气条件下稳定的前躯体溶液制备(b)采用旋涂法制备前躯体薄膜(c)干燥(d)旋涂多次、干燥(e)最后退火处理。本发明不需要使用昂贵的原材料和设备,采用二甲基亚砜这种易挥发,低碳有机物作为溶剂,可以克服以往铜锌锡硫纳米晶墨水合成过程中碳,氧元素的引入。各工艺步骤的控制性好,有利于制成大晶粒、致密、光电性能良好的吸收层薄膜,其工艺简单,可重复性强,易实现大规模生产。本发明中配制稳定的前躯体溶液所采用的试剂物化性质稳定,为发展绿色环保、低成本、高转换效率的Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池技术提供新思路,可促进Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池产业化快速发展。 | ||
搜索关键词: | 一种 二甲基亚砜 溶剂 墨水 制备 cu sub znsns 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种以二甲基亚砜为溶剂的墨水制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法,其特征在于按如下的步骤进行:a)按照Cu:(Zn+Sn):S摩尔比0.8:1:3称取氯化铜、氯化锌和氯化锡,分别用二甲基亚砜溶解,持续搅拌待完全溶解后将三者混合得到混合液,按照Zn:Sn摩尔比1.2:1的比例向上述混合液中加入硫代乙酰胺待其完全溶解后,向其中滴加乙醇胺溶液,当颜色变为黑色时停止滴加,即配制成可用于制备Cu2ZnSnS4太阳能电池吸收层薄膜的墨水;b)将a中所述墨水滴在镀Mo衬底的钠钙玻璃上,采用500rmp转速进行旋涂,在180℃下干燥3min,然后再重复上述操作0‑100次,制备出一定厚度的Cu‑Zn‑Sn‑S预制层薄膜;c)热处理:将步骤b干燥后的Cu‑Zn‑Sn‑S预制层薄膜,进行硒化退火处理形成Cu2ZnSnS4薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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