[发明专利]表面粗糙度达到零点一纳米级的超光滑抛光工艺有效
| 申请号： | 201410125710.7 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103934741A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 曹雪官 | 申请（专利权）人： | 壹埃光学（苏州）有限公司;曹雪官 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 215441 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面粗糙度达到零点一纳米级的超光滑抛光工艺，该工艺包含四个抛光阶段，达到不同的抛光效果：以机械磨削为主要作用的，以去除研磨破坏层为主要目的的粗抛阶段、以物理作用为主要特征的，以实现一定表面平面度为主要目的的精抛阶段、以化学作用为主要特征的，以去除亚表面损伤层为目的的初超抛阶段、以流变作用为主要特征的，以实现低表面粗糙度（RMS)抛光为目的的超抛阶段，从而实现光学材料表面原子重新排列在一个水平面上，达到超精密光学元件表面粗糙度RMS≤0.1nm的抛光要求。本发明提出的表面粗糙度RMS≤0.1nm的超光滑抛光工艺，产品质量稳定性好，可实现批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 粗糙 达到 零点 纳米 光滑 抛光 工艺 | ||
【主权项】：
一种表面粗糙度达到零点一纳米级的超光滑抛光工艺，其特征在于，该工艺分为四个阶段：以机械磨削为主要作用的，以去除研磨破坏层为主要目的的粗抛阶段；以物理作用为主要特征的，以实现一定表面平面度为主要目的的精抛阶段；以化学作用为主要特征的，以去除亚表面损伤层为目的的初超抛阶段；以流变作用为主要特征的，以实现表面粗糙度RMS≤0.1nm抛光为目的的超抛阶段。
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