[发明专利]用于对发光器件进行特征分析的方法和系统有效
| 申请号： | 201410093395.4 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104048599B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | D·C·莫罗;J·达默;S·C·多兹 | 申请（专利权）人： | 以操作-试验名义经营的索夫泰克系统配套公司 |
| 主分类号： | G01B11/00 | 分类号： | G01B11/00;G01B11/06;G01N21/25;G01N21/66;G01N21/88 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 须一平;邱忠贶 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用于对发光器件进行特征分析的方法和系统，其对发光器件的物理特性进行特征分析，物理特性例如是在固态发光器件的衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜的厚度、一致性、极化、和/或缺陷尺寸和位置（例如缺陷密度分布）。在此所述的实施方式一般包括：用能源对发光器件进行激发；对在衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜所发射的光能进行分析。 | ||
| 搜索关键词： | 发光器件 特征分析 晶体结构 物理特性 衬底 沉积 薄膜 固态发光器件 密度分布 极化 生长 光能 发射 激发 能源 分析 | ||
【主权项】：
1.一种对固体发光器件进行特征分析的方法，其特征在于，包括以下步骤：激发固体发光器件的第一发光区域；激发固体发光器件的第二发光区域；收集第一发光区域和第二发光区域所发射的光子；获得第一发光区域所发射的光子的第一光谱能量分布；获得第二发光区域所发射的光子的第二光谱能量分布；使用处理器通过将一个或多个高斯函数拟合到第一光谱能量分布和第二光谱能量分布来获得第一光谱能量分布的至少一个颜色参数和第二光谱能量分布的至少一个颜色参数；以及基于第一光谱能量分布的至少一个颜色参数和第二光谱能量分布的至少一个颜色参数空间关联第一发光区域和第二发光区域的物理特性。
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