[发明专利]非易失性存储器的电阻性元件与存储单元及其相关制作方法在审
| 申请号： | 201410090527.8 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104810474A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 林崇荣 | 申请（专利权）人： | 林崇荣 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张然;李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器的电阻性元件的制造方法，包括下列步骤：(a)在一导电区域的一表面上形成一电性绝缘层；(b)蚀刻该电性绝缘层并形成一穿透洞，且该穿透洞被蚀刻至该导电区域的该表面；(c)形成一介电层覆盖于该穿透洞的内壁与底部；(d)形成一障壁层覆盖于该介电层；(e)形成一金属层填满于该穿透洞；以及(g)反应该介电层与该障壁层而形成一过渡层。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 电阻 元件 存储 单元 及其 相关 制作方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器的电阻性元件的制造方法，包括下列步骤：(a)在一导电区域的一表面上形成一电性绝缘层；(b)蚀刻该电性绝缘层并形成一穿透洞，且该穿透洞被蚀刻至该导电区域的该表面；(c)形成一介电层覆盖于该穿透洞的内壁与底部；(d)形成一障壁层覆盖于该介电层；(e)形成一金属层填满于该穿透洞；以及(g)反应该介电层与该障壁层而形成一过渡层。
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