[发明专利]钴基纳米晶软磁薄带合金材料及制备方法有效
| 申请号： | 201410075566.0 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103866206A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 孙锐;卢俊丽;孙学中 | 申请（专利权）人： | 山西雷麦电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C45/04 | 分类号： | C22C45/04;C22C1/03 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 张立荣 |
| 地址： | 030900 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钴基纳米晶软磁薄带合金材料及制备方法，该合金薄带材料具有低矫顽力和有效磁导率高的特点。该制备方法工艺简单，生产成本低，适于工业化生产。该材料中各成分的重量百分含量为：钴基丝B5％～8％，Sn1％～3％，S0.04％～0.09％，Pm0.1％～0.3％，Tb0.1％～0.3％，Bi1％～3％，Si8％～10％，Fe10％～13％，其余为Co。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶软磁薄带 合金材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钴基纳米晶软磁薄带合金材料，其特征是：该材料中各成分的重量百分含量为：B 5％～8％，Sn 1％～3％，S 0.04％～0.09％，Pm 0.1％～0.3％，Tb 0.1％～0.3％，Bi 1％～3％，Si 8％～10％，Fe 10％～13％，其余为Co。
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