[发明专利]三维连通弯曲石墨烯及其制备方法、电极、电容和锂电池有效

专利信息
申请号: 201410072066.1 申请日: 2014-02-28
公开(公告)号: CN103833031A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 游学秋 申请(专利权)人: 游学秋
主分类号: C01B31/04 分类号: C01B31/04;B82Y30/00
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 张晓东
地址: 364000 福建省龙岩*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种三维连通弯曲石墨烯及其制备方法、电极、电容和锂电池,该三维连通弯曲石墨烯通过如下步骤制备而成:首先通过自组装堆积方法在导电基板上形成聚苯乙烯微纳米球阵列;然后通过电化学沉积方法沉积金属,去除聚苯乙烯微纳米球;将导电基板通过石墨烯化学气相沉积法在三维连通的金属微纳米球腔结构表面制备石墨烯。或者通过自组装堆积方法在基板上自组装形成堆积的覆盖金属元素或金属离子的微纳米颗粒阵列,然后通过石墨烯化学气相沉积法在微纳米颗粒表面制备石墨烯。制得的三维连通弯曲石墨烯可以制备电极,用于电容和锂电池。该三维连通弯曲石墨烯具有较好的柔韧性,优异的导电性能,比容量大,可保护电极材料,防止电极材料剥落。
搜索关键词: 三维 连通 弯曲 石墨 及其 制备 方法 电极 电容 锂电池
【主权项】:
一种三维连通弯曲石墨烯的制备方法,其特征是:该方法具有如下步骤:(1)通过自组装堆积方法在导电基板上自组装形成堆积的聚苯乙烯微纳米球阵列;(2)通过电化学沉积方法将金属沉积填充到步骤(1)中的导电基板上堆积的聚苯乙烯微纳米球阵列的空隙内,干燥导电基板并去除聚苯乙烯微纳米球,在导电基板上形成三维连通的金属微纳米球腔结构;(3)将包含有三维连通的金属微纳米球腔结构的导电基板通过石墨烯化学气相沉积法在三维连通的金属微纳米球腔结构表面制备弯曲石墨烯,在石墨烯化学气相沉积法中,使用的碳源为气体碳源、液态碳源或固态碳源;(4)通过腐蚀工艺完全或部分去除金属微纳米球腔结构。
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