[发明专利]一种高速纳米两端非易失性存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高速纳米两端非易失性存储器及其制备方法，其特征是：存储器是在绝缘衬底上分布有p型掺杂一维纳米材料、石墨烯电极和金属电极，石墨烯电极和金属电极通过p型掺杂一维纳米材料连通；p型掺杂一维纳米材料为p型掺杂ZnS一维纳米材料或p型掺杂ZnSe一维纳米材料；金属电极为Cu电极或Ag电极。本发明的高速纳米两端非易失性存储器制备方法简单、易于控制、成品率高、便于应用于大规模的集成，且本发明所制备的存储器具有编程电压低、读/写速度快和保持时间长等优异特性，将在开发低功耗、高速、高集成度存储器中具有潜在的应用前景。

主权项

一种高速纳米两端非易失性存储器，其特征是：所述存储器是在绝缘衬底(1)上分布有p型掺杂一维纳米材料(2)、石墨烯电极(3)和金属电极(4)，所述石墨烯电极(3)和金属电极(4)通过p型掺杂一维纳米材料(2)连通；所述p型掺杂一维纳米材料(2)为p型掺杂ZnS一维纳米材料或p型掺杂ZnSe一维纳米材料；所述金属电极(4)为Cu电极或Ag电极；所述p型掺杂ZnS一维纳米材料为Ag掺杂ZnS一维纳米材料或Cu掺杂ZnS一维纳米材料；所述p型掺杂ZnSe一维纳米材料为Ag掺杂ZnSe一维纳米材料或Cu掺杂ZnSe一维纳米材料。