[发明专利]不合格电池片的栅线脱落原因分析方法及再利用方法有效
申请号: | 201410032108.9 | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN103779444A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 曾德栋;王家道;吴卫平;藩丁烈 | 申请(专利权)人: | 海南英利新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 海南省海口市国家高新技术*** | 国省代码: | 海南;66 |
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摘要: | 本发明提供了一种不合格电池片的栅线脱落原因分析方法及再利用方法。该方法包括以下步骤:收集不合格电池片,在栅线脱落的位置做好标记;去除残留浆料,形成待测硅片;检测栅线脱落的位置是否存在缺陷,若存在缺陷,则将记为第一位置;在区别于第一位置的第二位置印刷第一浆料,并烧结形成样品电池片;观测样品电池片,根据观测结果判定如下:若栅线不再脱落,则不合格电池片是因为第一浆料印刷在缺陷位置;如果栅线再次脱落,则不合格电池片是因为第一浆料本身存在质量问题。利用本发明所提供的方法,能够快速找到栅线脱落的原因,及时判断浆料的使用性能,从而能够快速解决太阳能电池片生产线上的质量问题,保证产品质量。 | ||
搜索关键词: | 不合格 电池 脱落 原因 分析 方法 再利用 | ||
【主权项】:
一种不合格电池片的栅线脱落原因分析方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:收集栅线脱落的不合格电池片,并在栅线脱落的位置做好标记;去除所述不合格电池片表面残留浆料,形成待测硅片;检测所述待测硅片的所述栅线脱落的位置是否存在缺陷,如果所述栅线脱落的位置存在缺陷,则将所述栅线脱落的位置标记为第一位置;在所述待测硅片的表面区别于所述第一位置的第二位置印刷所述不合格电池片生产过程中所使用的第一浆料,并烧结形成样品电池片;观测所述样品电池片,根据观测结果判定如下:如果所述样品电池片的栅线不再脱落,则所述不合格电池片是因为所述第一浆料印刷在硅片的缺陷位置,导致电池片的栅线脱落;如果所述样品电池片的栅线再次脱落,则所述不合格电池片是因为所述第一浆料本身存在质量问题。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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