[发明专利]一种涂层导体用Ni-W合金自生复合基带的制备方法

摘要

本发明属于高温涂层超导体用金属基带制备技术领域，公开了一种涂层导体用镍钨合金自生复合基带的制备方法。采用真空感应熔炼方法获得W原子百分含量为7%～9%的Ni-W合金熔体；采用离心铸造方法获得圆筒形NiW合金复合铸锭。将圆筒形铸锭单边切开，然后辗平成板状铸锭；对板状铸锭进每道次变形量3～15%、总变形量大于96%的冷轧变形，得到厚度为50～200μm的冷轧基带；冷轧基带在气体保护或真空下于1050～1250℃温度下退火0.5～3h，得到低W含量一侧具有强立方织构的Ni-W合金复合基带。本发明的基带内无物理结合界面，机械强度高，磁性低，立方织构含量高，可制备长基带，适于规模化工业生产。

主权项

一种涂层导体用Ni‑W合金自生复合基带的制备方法，其特征在于如下步骤：（1）原料配比与熔炼将金属Ni和金属W，按W原子百分含量为7～9%的配比，在真空条件下于1500～1700℃熔炼5～20min，获得Ni‑W合金熔体；（2）自生复合铸锭的制备采用离心铸造方法将上述的Ni‑W合金熔体制成圆筒形铸锭，离心机转速为500‑2000rpm，离心铸造模具温度为室温至800℃；将圆筒形铸锭单边切开，然后辗平成板状铸锭；（3）自生复合铸锭的轧制变形将上述板状铸锭轧制变形，每次变形量为3～15%，总变形量大于96%，得到厚度为50～200μm的冷轧基带；（4）冷轧基带的退火处理将上述冷轧基带在Ar/H₂混合气体保护下或真空条件下于1050～1250℃温度下退火0.5～3h，得到涂层导体用Ni‑W合金自生复合基带。