[发明专利]相变随机存取存储器的菱形式四电阻器单元有效
| 申请号： | 201410022151.7 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103746073B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李霞 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及相变随机存取存储器的菱形式四电阻器单元。本发明揭示一种形成相变随机存取存储器PRAM单元的方法及相变随机存取存储器PRAM单元的结构。所述PRAM单元包括底部电极；加热器电阻器，其耦合到所述底部电极；相变材料PCM，其形成于所述加热器电阻器之上且耦合到所述加热器电阻器；及顶部电极，其耦合到所述相变材料。所述相变材料接触所述加热器电阻器的垂直表面的一部分及所述加热器电阻器的水平表面的一部分，以形成所述加热器电阻器与所述相变材料之间的作用区域。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 随机存取存储器 菱形 电阻器 单元 | ||
【主权项】：
一种形成相变随机存取存储器PRAM单元的方法，所述方法包含：形成加热器电阻器；在除所述加热器电阻器的作用区域以外的所述加热器电阻器之上形成罩盖膜；及在所述加热器电阻器的所述作用区域之上形成相变材料PCM，其中所述相变材料PCM包括与所述加热器电阻器和所述罩盖膜重叠的阶梯形部分；其中所述相变材料PCM的所述阶梯形部分与所述加热器电阻器的垂直表面的一部分及所述加热器电阻器的水平表面的一部分接触，以形成所述加热器电阻器与所述相变材料PCM之间的所述作用区域，且其中所述相变材料PCM的所述阶梯形部分进一步与所述罩盖膜的垂直表面的一部分和所述罩盖膜的水平表面的一部分接触。
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