[发明专利]一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201410011430.3 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103762309A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 沈祥;陈益敏;王国祥;李军建;吕业刚;王训四;戴世勋;徐铁峰;聂秋华 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C22C12/00 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 程晓明 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是该材料化学结构式为ZnxSb（100-x）（0<x<60），其制备过程包括将单质Sb或Zn靶材安装在磁控直流溅射靶中，将ZnSb合金靶材安装在磁控射频溅射靶中的步骤；将溅射腔室进行抽真空直至2.0×10-4Pa，然后通入50ml/min的高纯氩气直至气压达到0.35Pa的步骤；然后控制合金ZnSb靶的溅射功率为20-50W，单质Sb或Zn靶材的溅射功率为0-40W，于室温下溅射5min后即得到成品，优点是具有较高的结晶温度，较快的相转变速度和较大的开关比，较好的数据保持力，并且稳定性强、功耗小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 环境友好 zn sb 相变 存储 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种环境友好型Zn‑Sb相变存储薄膜材料，其特征在于：该材料是由锌，锑两种元素组成的混合物。
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