[发明专利]保护膜形成用化学溶液在审

专利信息
申请号: 201380050128.2 申请日: 2013-09-12
公开(公告)号: CN104662645A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 荒田忍;公文创一;斋藤真规;斋尾崇 申请(专利权)人: 中央硝子株式会社
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: [课题]本发明提供如下的形成拒水性保护膜的拒水性保护膜形成用化学溶液,该化学溶液用于改善容易诱发表面形成凹凸图案且该凹凸图案的凹部表面具有钛、钨、铝、铜、锡、钽、以及钌中的至少一种元素的晶片(金属系晶片)的图案倒塌的清洗工序。[解决方法]拒水性保护膜形成用化学溶液,其特征在于,所述化学溶液用于在采用仅由质子性极性溶剂构成的冲洗液或以质子性极性溶剂作为主要成分的冲洗液对前述晶片表面进行冲洗处理的冲洗处理工序的前,通过保持在该晶片的至少凹部,从而在至少该凹部表面上形成拒水性保护膜,该化学溶液包含拒水性保护膜形成剂和溶剂,该拒水性保护膜形成剂为下述通式[1]~[3]所示的至少一种化合物。(R3)b(R4)cNH3-b-c[2];R5(X)d [3];。
搜索关键词: 保护膜 形成 化学 溶液
【主权项】:
一种拒水性保护膜形成用化学溶液,其特征在于,所述化学溶液用于在采用仅由质子性极性溶剂构成的冲洗液或以质子性极性溶剂作为主要成分的冲洗液对表面形成凹凸图案且该凹凸图案的凹部表面具有钛、钨、铝、铜、锡、钽、以及钌中的至少一种元素的晶片表面进行冲洗处理的冲洗处理工序之前,通过保持在该晶片的至少凹部,从而在至少该凹部表面形成拒水性保护膜,该化学溶液包含拒水性保护膜形成剂和溶剂,该拒水性保护膜形成剂为下述通式[1]~[3]所示的至少一种化合物,式[1]中,R1为部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数为6~18的1价的烃基,R2分别各自独立地为包含部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~18的烃基的1价的有机基团,a为0~2的整数;(R3)b(R4)cNH3‑b‑c   [2]式[2]中,R3分别各自独立地为部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数为6~18的1价的烃基,R4分别各自独立地为部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~3的1价的烃基,b为1~3的整数,c为0~2的整数,b和c的合计为1~3的整数;R5(X)d   [3]式[3]为部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数为4~18的烃R5的d个氢元素或氟元素分别各自独立地被选自由X基所示的异氰酸酯基、巯基、‑CONHOH基、以及含氮元素的环结构组成的组中的至少一种基团取代的化合物,d为1~6的整数。
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