[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380047535.8 | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN104620366B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 梅田英和;海原一裕;田村聪之 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/28;H01L21/337;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/778;H01L29/808;H01L29/812 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 减少半导体装置的寄生电容以及泄漏电流。例如在由硅构成的基板上依次外延生长有例如由厚度为100nm的AlN构成的缓冲层、厚度为2μm的非掺杂GaN层、以及厚度为20nm且Al组分比为20％的非掺杂AlGaN，源极电极以及漏极电极以与非掺杂AlGaN层欧姆接触的方式形成。而且，在栅极布线的正下方的非掺杂GaN层与非掺杂AlGaN层中，例如形成有通过Ar等的离子注入而高电阻化了的高电阻区域，高电阻区域与元件区域的边界位于栅极布线正下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：基板；氮化物半导体层，形成于所述基板的上方；形成于所述氮化物半导体层的上方的源极电极、漏极电极及栅极电极；以及栅极布线层，形成于所述氮化物半导体层的上方，并且连接于所述栅极电极；所述氮化物半导体层在所述栅极布线层的正下方并且是离开所述栅极电极侧的端部的位置具备高电阻区域，所述氮化物半导体层还具备元件区域，所述源极电极或者所述漏极电极被所述栅极电极与所述栅极布线层而被包围，所述高电阻区域与所述元件区域的边界位于所述栅极布线层的正下方。
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- 氮化物半导体器件-201380016278.1
- 安井忠;森下敏;藤田耕一郎;栗田大佑 - 夏普株式会社
- 2013-03-21 - 2017-03-29 - H01L21/338
- 本发明提供能够使氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻降低的氮化物半导体器件。该GaN类HFET在形成在Si衬底(10)上的包括无掺杂GaN层(1)和无掺杂AlGaN层(2)的氮化物半导体叠层体(20)中形成有凹部(106、109)，在该凹部(106、109)中形成有源极电极(11)和漏极电极(12)。在比该由TiAl类材料构成的源极电极(11)以及漏极电极(12)与GaN层(1)的界面(S1、S2)深的区域，具有界面附近的第一氯浓度峰(P11)，在比第一氯浓度峰(P11)深的位置具有氯浓度为1.3×1017cm‑3以下的第二氯浓度峰(P22)。
- 半导体器件、天线开关电路和无线通信装置-201580015651.0
- 竹内克彦 - 索尼公司
- 2015-03-25 - 2016-11-16 - H01L21/338
- 本发明涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括漏电极和源电极、栅电极、一个以上的栅电极延伸部和连接部。所述漏电极和所述源电极具有彼此啮合的梳形的平面形状。所述栅电极设置在所述漏电极与所述源电极之间并具有曲折的平面形状。所述一个以上的栅电极延伸部从所述栅电极突出。所述连接部设置成面对所述漏电极和所述源电极中的一者或两者，并将所述一个以上的栅电极延伸部连接在一起。
- 化合物半导体装置及其制造方法-201180069251.X
- 今田忠纮 - 富士通株式会社
- 2011-03-18 - 2016-11-09 - H01L21/338
- 本发明的化合物半导体装置设有第1电极（3）、在第1电极（3）的上方形成的本征第1化合物半导体层（1）、在第1化合物半导体层（1）上形成且带隙比第1化合物半导体层（1）小的第2化合物半导体层（2）以及在第2化合物半导体层（2）的上方形成的第2电极（4）。
- 一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管的制备方法-201610255963.5
- 贾护军;杨志辉;马培苗;杨银堂 - 西安电子科技大学
- 2016-04-22 - 2016-07-20 - H01L21/338
- 本发明公开了一种具有部分高浓度掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管的制备方法；旨在提供能够提高输出电流和器件跨导，改善频率特性的一种具有部分高浓度掺杂沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管；采用的技术方案为：在4H‑SiC半绝缘衬底上形成P型缓冲层；在P型缓冲层上形成N型沟道层；N型沟道层形成N+型帽层；在N+型帽层上形成隔离区和有源区；对有源区加工形成源电极和漏电极；对源电极和漏电极之间的N+型帽层进行加工，形成凹沟道区域；对凹沟道区域正下方区域进行重掺杂；对源电极和漏电极之间的凹沟道进行加工，形成栅区域；对栅区域进行加工，形成栅区域；对所形成的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管表面进行加工，形成电极压焊点，完成器件的制作。
- 半导体基板以及半导体基板的制造方法-201480041977.6
- 佐泽洋幸 - 住友化学株式会社
- 2014-07-29 - 2016-03-23 - H01L21/338
- 一种半导体基板，第1超晶格层具有多个由第1层以及第2层构成的第1单位层，第2超晶格层具有多个由第3层以及第4层构成的第2单位层，第1层由Alx1Ga1-x1N(0＜x1≤1)构成，第2层由Aly1Ga1-y1N(0≤y1＜1、x1＞y1)构成，第3层由Alx2Ga1-x2N(0＜x2≤1)构成，第4层由Aly2Ga1-y2N(0≤y2＜1、x2＞y2)构成，第1超晶格层的平均晶格常数与第2超晶格层的平均晶格常数不同，在从第1超晶格层以及第2超晶格层选择出的1个以上的层中，以超过7×1018[atoms/cm3]的密度含有用于提高耐电压的杂质原子。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
