[发明专利]具备多个氧化处理器的低浓度甲烷气体氧化系统无效

专利信息
申请号: 201380033527.8 申请日: 2013-06-18
公开(公告)号: CN104470623A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 梶田真市;山崎义弘 申请(专利权)人: 川崎重工业株式会社
主分类号: B01D53/86 分类号: B01D53/86;F02C6/00;F02C7/22
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 谢顺星;张晶
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种低浓度甲烷气体氧化系统(ST),其具有单一的热源装置(GT)和氧化处理装置(OD),所述氧化处理装置(OD)利用来自所述单一的热源装置的热,对低浓度甲烷气体(LG)进行催化氧化处理,所述氧化处理装置设有多条氧化处理路线(OL),所述氧化处理路线(OL)具有从供给低浓度甲烷气体的供给路(1)并列分路出来的多条分路低浓度气体供给路(1a),以及设置在各个所述多条分路浓度气体供给路上的催化氧化处理器(13)。
搜索关键词: 具备 氧化 处理器 浓度 甲烷 气体 系统
【主权项】:
一种低浓度甲烷气体氧化系统,其具备单一热源装置和氧化处理装置;所述氧化处理装置利用来自所述单一热源装置的热,对低浓度甲烷气体进行催化氧化处理;所述氧化处理装置具备多条催化氧化处理路线,该催化氧化处理路线具有从供给低浓度甲烷气体的供给路并列分路出来的多条分路低浓度气体供给路,以及设置在各所述多条分路低浓度气体供给路上的催化氧化处理器。
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