[发明专利]用于渐逝模式电磁波空腔谐振器的平面内谐振器结构有效
| 申请号： | 201380027638.8 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN104335416A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·贾森·斯蒂法诺;朴相俊;拉温德拉·V·社诺伊 | 申请（专利权）人： | 高通MEMS科技公司 |
| 主分类号： | H01P1/208 | 分类号： | H01P1/208;H01P7/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供机电系统EMS谐振器结构、装置、设备、系统和相关过程的实施方案。在一个方面中，装置包含渐逝模式电磁波空腔谐振器。在一些实施方案中，所述空腔谐振器包含共同形成体积的下部空腔部分和上部空腔部分。所述空腔谐振器还包含平面内谐振器结构，所述结构具有至少部分地位于所述体积内以支持一或多个渐逝电磁波模式的部分。在一些实施方案中，所述谐振器结构的上部表面与所述上部空腔部分连接，同时下部配合表面与所述下部空腔部分连接。所述谐振器结构的远表面和与其最靠近的表面分离或电绝缘一间隙距离，所述空腔谐振器的谐振电磁波模式至少部分地取决于所述间隙距离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 模式 电磁波 空腔 谐振器 平面 结构 | ||
【主权项】：
一种装置(11，40)，其包括渐逝模式电磁波空腔谐振器结构(1900，2100，2200)，所述结构包括：包含第一空腔(1906a，2106a，2206)的第一空腔部分(1902，2102，2202)，其具有内部空腔表面和所述第一空腔的外围周围的配合表面，所述内部空腔表面具有位于其上的导电层；包含第二空腔(1906b，2106b)的第二空腔部分(1904，2104)，其具有内部空腔表面和所述第二空腔的外围周围的配合表面，所述内部空腔表面具有位于其上的导电层，所述第一空腔(1906a，2106a)和所述第二空腔(1906b，2106b)形成可操作以支持一或多个渐逝电磁波模式的体积；以及平面内谐振器结构(1910，2110，2210)，其具有至少部分地位于所述体积内以便支持所述一或多个渐逝电磁波模式的部分，所述谐振器结构为导电的或具有位于其上的导电层，所述谐振器结构的第一配合表面与所述第一空腔部分的所述配合表面连接，所述谐振器结构的第二配合表面与所述第二空腔部分的所述配合表面连接，所述谐振器结构的远表面(1922，2122)在所述体积的一部分上延伸且和与其最靠近的表面分离或电绝缘一间隙距离，所述谐振器结构的谐振电磁波模式至少部分地取决于所述间隙距离。
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