[发明专利]用于渐逝模式电磁波空腔谐振器的各向同性蚀刻空腔有效
| 申请号： | 201380027622.7 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN104335415A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·贾森·斯蒂法诺;朴相俊;拉温德拉·V·社诺伊 | 申请（专利权）人： | 高通MEMS科技公司 |
| 主分类号： | H01P1/208 | 分类号： | H01P1/208;H01P7/06;H01P11/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供机电系统EMS谐振器结构、装置、设备、系统和相关过程的实施方案。在一个方面中，装置包含渐逝模式电磁波空腔谐振器。在一些实施方案中，所述谐振器包含各向同性蚀刻空腔，所述空腔可操作以支持一或多个渐逝电磁波模式。在一些实施方案中，所述谐振器还包含空腔平顶，所述空腔平顶经布置以结合所述各向同性蚀刻空腔形成体积。在一些实施方案中，所述谐振器还包含电容性调谐结构，所述结构具有至少部分地位于所述体积内以便支持所述渐逝电磁波模式的部分。在一些实施方案中，所述调谐结构的远表面和与其最靠近的表面分离一间隙距离，所述空腔谐振器的谐振电磁波模式至少部分地取决于所述间隙距离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 模式 电磁波 空腔 谐振器 各向同性 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种装置(11，40)，其包括渐逝模式电磁波空腔谐振器结构(100，1900，2100，2200)，所述结构包含：各向同性蚀刻空腔部分(102，1902，2102，2202)，其包含空腔(106，1906a，2106a，2206)，所述空腔可操作以支持一或多个渐逝电磁波模式，所述空腔部分包含内部空腔表面(230，240，242)和所述空腔的外围周围的配合表面(128，232)，所述内部空腔表面具有位于其上的导电层(108)；空腔平顶(104，120，1904，2104)，其与所述空腔部分一起布置以形成包含所述空腔的体积；以及电容性调谐结构(110，1910，2110，2210)，其具有至少部分地位于所述体积内以便支持所述一或多个渐逝电磁波模式的部分，所述调谐结构为导电的或具有位于其上的导电层，所述调谐结构的远表面(114，122，1922，2122)和与其最靠近的表面分离一间隙距离，所述空腔谐振器结构的谐振电磁波模式至少部分地取决于所述间隙距离。
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