[发明专利]多孔性膜和蓄电装置无效
申请号: | 201380013622.1 | 申请日: | 2013-03-21 |
公开(公告)号: | CN104204051A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 冈田一马;久万琢也;大仓正寿 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | C08J9/00 | 分类号: | C08J9/00;H01G11/52;H01M2/16 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;杨光军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种维持高孔隙率、并且耐电压性优异的多孔性膜。本发明的多孔性膜,其特征在于,将绝缘击穿电压设为V(kV),将膜厚设为T(mm)时,以下述式(A)定义的绝缘击穿强度Ea值为160kV/mm以上,孔隙率为45~85%。Ea=V/T …(A)。 | ||
搜索关键词: | 多孔 装置 | ||
【主权项】:
一种多孔性膜,其特征在于,将绝缘击穿电压设为VkV,将膜厚设为Tmm时,以下述式(A)定义的绝缘击穿强度Ea值为160kV/mm以上,孔隙率为45~85%,Ea=V/T …(A)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东丽株式会社;,未经东丽株式会社;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380013622.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机半导体组合物
- 下一篇:聚醚酰亚胺、制备方法及其形成的制品