[发明专利]广角三维太阳能电池在审

专利信息
申请号: 201380010655.0 申请日: 2013-02-20
公开(公告)号: CN104396023A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 穆罕默德·内齐尔·达勒;宋长万 申请(专利权)人: 三维太阳能电池公司
主分类号: H01L31/047 分类号: H01L31/047;H01L31/0236
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 陈炜;李德山
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种包括半导体主体的三维太阳能电池,该半导体主体具有基本上平坦的底表面以及沿着其顶侧以阵列方式形成的成形沟槽。这样,朝向半导体主体的顶侧延伸的多个柱子由此形成在半导体主体中。光收集材料沿着半导体主体的顶侧填充成形沟槽,并且形成与半导体主体的底表面平行的基本上平坦的光接收顶表面。沟槽中的至少一些沟槽中的每个沟槽被构造成使得在基本上平坦的光接收表面上存在至少一个点,以使得在光线入射在该点上的情况下,如果与进入半导体主体相对地,光线保持在相应沟槽内,则光线将至少在相邻柱子上的第四次反射之后被重定向为向上。
搜索关键词: 广角 三维 太阳能电池
【主权项】:
一种三维太阳能电池,包括:半导体主体,其具有基本上平坦的底表面,并且具有沿着所述半导体主体的与所述底表面相对的顶侧形成的多个排列的成形沟槽,所述半导体主体在各个相邻成形沟槽之间形成柱子,使得所述半导体主体具有朝向所述半导体主体的顶侧延伸的多个排列的柱子;以及光收集材料,其沿着所述半导体主体的顶侧填充所述多个排列的成形沟槽,并且形成与所述半导体主体的底表面基本上平行的基本上平坦的光接收顶表面,所述多个排列的柱子中的每个柱子具有与所述光收集透明材料接触的侧壁;其中,所述多个沟槽中的至少一些沟槽的集合中的每个沟槽被构造成使得对于柱子集合中的每个柱子,在所述基本上平坦的光接收表面上存在至少一个点,以使得在光线入射在该点上的情况下,如果与进入所述半导体主体相对地,所述光线保持在相应沟槽内,则所述光线将至少在相邻柱子上的第三次反射之后被重定向为向上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三维太阳能电池公司,未经三维太阳能电池公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380010655.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top