[实用新型]一种薄膜晶体管阵列基板有效
| 申请号： | 201320566401.4 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN203465495U | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 王士敏;赵约瑟;郭志勇;朱泽力;钟荣苹;陈雄达;李绍宗 | 申请（专利权）人： | 深圳莱宝高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板。所述薄膜晶体管阵列基板包括具有第一表面的基板、形成于所述基板的第一表面上的多条扫描线、多条信号线、多个薄膜晶体管以及多个像素电极；每一所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极，所述扫描线及多个薄膜晶体管的栅极由一第一导电层经同一制程一并制成，所述像素电极及薄膜晶体管的源极、漏极由一第二导电层经同一制程一并制成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列基板，包括具有第一表面的基板、形成于所述基板的第一表面上的多条扫描线、多条信号线、多个薄膜晶体管以及多个像素电极；每一所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极，所述扫描线及多个薄膜晶体管的栅极由一第一导电层经同一制程一并制成，所述像素电极及薄膜晶体管的源极、漏极由一第二导电层经同一制程一并制成。
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