[实用新型]基于巨磁电阻元件的磁探伤传感器有效
| 申请号： | 201320427681.0 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN203350226U | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 杨阳;徐永兵;王静静 | 申请（专利权）人： | 江苏海纳磁性纳米新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/82 | 分类号： | G01N27/82 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了基于巨磁电阻元件的磁探伤传感器，包括：励磁机构及传感器，传感器为多个巨磁电阻元件组合而成，传感器位于励磁机构两磁极之间。本实用新型的基于巨磁电阻元件的磁探伤传感器，传感器采用多个巨磁电阻元件组合，提高测量的空间辨别力和覆盖范围，并添加了聚磁器，收集、引导、均匀化磁场，其检测灵敏度高，能测量微弱磁场，且稳定性好，能耐受恶劣条件；轻巧、使用便携、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁电 元件 探伤 传感器 | ||
【主权项】：
基于巨磁电阻元件的磁探伤传感器，用于检测金属表面或底部缺陷的磁探伤装置，其特征在于，包括：励磁机构（10）及传感器（20），所述传感器（20）为多个巨磁电阻元件组合而成，所述传感器（20）位于所述励磁机构（10）两磁极之间。
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