[实用新型]紫外探测器有效
| 申请号： | 201320421136.0 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN203434179U | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 梅增霞;侯尧楠;梁会力;刘尧平;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 范晓斌;薛峰 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种紫外探测器。所述紫外探测器包括：ZnO衬底；布置在所述ZnO衬底上的BeO绝缘层；以及布置在所述BeO绝缘层上的MgZnO薄膜层或BeZnO薄膜层。本实用新型的紫外探测器采用ZnO材料作为衬底，MgZnO薄膜层或BeZnO薄膜层可在ZnO衬底上实现低应变的准同质外延生长，从而具备更高的结晶质量，因此非常适合做各种环境下的紫外乃至深紫外探测材料。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 探测器 | ||
【主权项】：
一种紫外探测器，包括： ZnO衬底； 布置在所述ZnO衬底上的BeO绝缘层；以及 布置在所述BeO绝缘层上的MgZnO薄膜层或BeZnO薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
