[实用新型]一种LPCVD系统法兰炉门有效
申请号: | 201320259302.1 | 申请日: | 2013-05-13 |
公开(公告)号: | CN203256329U | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 丁波;陈瀚;侯金松;程国军 | 申请(专利权)人: | 上海微世半导体有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;F27D1/18;F27D1/12;F27D21/00 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 张坚 |
地址: | 201501 上海市金山*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开一种LPCVD系统法兰炉门,包括炉门框架、活动设于框架上的炉门板、设于炉门板内面上的密封圈,所述框架上还设有水冷循环系统,包括冷却水进水管、冷却水出水管以及布置于炉门框架内且分别与冷却水进水管和冷却水出水管相连的冷却通道。采用该炉门具有密封性能好、耐高温、可以模拟在工艺要求的条件下进行炉温的拉测、产品进出炉比较方便和稳妥等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 lpcvd 系统 法兰 炉门 | ||
【主权项】:
一种LPCVD系统法兰炉门,包括炉门框架、活动设于框架上的炉门板、设于炉门板内面上的密封圈,其特征在于:所述框架上还设有水冷循环系统,包括冷却水进水管、冷却水出水管以及布置于炉门框架内且分别与冷却水进水管和冷却水出水管相连的冷却通道。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的