[实用新型]一种磁传感器结构有效

专利信息
申请号: 201320245005.1 申请日: 2013-04-25
公开(公告)号: CN203287508U 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 文明;徐磊磊;熊红斌 申请(专利权)人: 文明
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315175 浙江省宁波市鄞*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 针对各向异性磁电阻数值低的问题,本实用新型提供一种磁传感器结构,包括衬底、各向异性磁电阻传感单元,其中,N个各向异性磁电阻传感单元沉积在衬底上,且N大于1;各向异性磁电阻传感单元包括铂电极、各向异性敏感层、金电极,且铂电极位于最底层,各向异性敏感层位于铂电极上,金电极位于各向异性敏感层上。本实用新型的各向异性磁电阻传感器包含多个传感单元,能够增加各向异性磁电阻传感器的磁电阻的数值,且各向异性敏感层位于铂电极和金电极之间,能够增加电子的反射,降低噪音,提高其磁场探测的灵敏度。
搜索关键词: 一种 传感器 结构
【主权项】:
一种磁传感器结构,包括衬底、各向异性磁电阻传感单元,其特征在于:所述的N个各向异性磁电阻传感单元沉积在衬底上,且N大于1;所述的各向异性磁电阻传感单元包括铂电极、各向异性敏感层、金电极,且铂电极位于最底层,各向异性敏感层位于铂电极上,金电极位于各向异性敏感层上。
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