[实用新型]内置特高频传感器的GIS局部放电监测装置有效

专利信息
申请号: 201320205134.8 申请日: 2013-04-23
公开(公告)号: CN203164364U 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 孙晓凡;马勇;罗涛 申请(专利权)人: 四川菲博斯科技有限责任公司
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 谢敏
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种内置特高频传感器的GIS局部放电监测装置,包括位于GIS金属壳体上的传感器安装板(3)、用于采集GIS室内部局部放电信号的天线(1)、通过信号传输线与天线(1)相连的电路板(6)、用于密封信号传输线的密封板(2),所述天线(1)位于GIS金属壳体内部,电路板(6)位于GIS金属壳体外部,传感器安装板(3)上设置有供信号传输线通过的通孔;所述密封板(2)密封连接在传感器安装板(3)上,且位于GIS金属壳体内部一侧。本实用新型解决了外置式特高频传感器易受外界电磁波干扰、在恶劣环境中及极低温环境下使用性能低的问题,具有抗干扰能力强、制造工艺简单、维护成本低等优点。
搜索关键词: 内置 高频 传感器 gis 局部 放电 监测 装置
【主权项】:
内置特高频传感器的GIS局部放电监测装置,包括位于GIS金属壳体上的传感器安装板(3)、用于采集GIS室内部局部放电信号的天线(1)、通过信号传输线与天线(1)相连的电路板(6),其特征在于,还包括用于密封信号传输线的密封板(2),所述天线(1)位于GIS金属壳体内部,电路板(6)位于GIS金属壳体外部,传感器安装板(3)上设置有供信号传输线通过的通孔;所述密封板(2)密封连接在传感器安装板(3)上,且位于GIS金属壳体内部一侧。
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